Для своих отечественных ИИ-ускорителей Китайская Народная Республика зависит от высокопропускной памяти (HBM) местного производства. Её производит CXMT, крупнейший в КНР производитель динамической оперативной памяти (DRAM), уже с 2024 года. В настоящее время CXMT находится на уровне HBM2e, но уже в первом полугодии 2026 года, как сообщает южнокорейский журнал ET News(открывается в новом окне), должен начаться серийный выпуск более производительных модулей HBM3.
Разработка производства HBM3, в котором впервые должны быть уложены в стопку восемь кристаллов памяти (8-High), якобы началась уже в 2025 году. HBM2e, согласно отчёту, CXMT, вероятно, продолжает производить всего с четырьмя уложенными в стопку кристаллами DRAM. Однако в ближайшее время CXMT хочет догнать конкурентов, которые в настоящее время укладывают в стопку двенадцать кристаллов. Разработка должна начаться в 2026 году, серийное производство — в 2027. Если это удастся, CXMT совершит значительный технологический скачок всего за три года.
Workshops и Weiterbildungen: Administration von Microsoft 365? So gehts!
Karriere Ratgeber: Karrieretag Familienunternehmen 2026: Jetzt bewerben und durchstarten
Seminar: Microsoft 365 Copilot Administration: virtueller Ein-Tages-Workshop
E-Learning: Windows Systemadministration: Das Master Toolkit für Windows 10 und 11 (E-Learning Paket mit 4 Kursen)
Более высокие стопки позволяют не только увеличить ёмкость, но, по крайней мере теоретически, и повысить пропускную способность. Согласно EL News, модули 12-High поэтому также могут предлагаться как HBM3e. Это соответствовало бы графику Huawei, чей ИИ-ускоритель Ascend 960 (g+) должен выйти на рынок в конце 2027 года. Заявленные объём памяти и пропускная способность позволяют ожидать использования HBM3e.
Пятая часть производства для HBM
Согласно отчёту, CXMT в 2026 году планирует выделить 20 процентов своих производственных мощностей на выпуск HBM — около 60 000 пластин в месяц. Цифры могут ещё вырасти, поскольку CXMT в настоящее время активно расширяет свои производственные мощности.
В то же время выход годных изделий, как сообщается, значительно хуже, чем у Micron, Samsung и SK Hynix. Контактирование отдельных уложенных в стопку кристаллов памяти значительно сложнее и, следовательно, более подвержено ошибкам при классической упаковке для припаиваемых чипов. Кроме того, пластины должны быть отшлифованы для уменьшения их толщины, что делает кристаллы более чувствительными. Однако, как говорится в отчёте, фокус CXMT сосредоточен на наращивании производственных мощностей, улучшение выхода годных изделий не является первостепенной целью.